2N3019
Производится
Увеличить
Краткое описание:
NPN Transistor, 80V VCEO, 400MHz fT, TO-39
Дополнительная информация
NPN Silicon Transistor for AF preamplifier applications. Features 80V Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) and a maximum operating temperature of 200°C. Offers 800mW maximum power dissipation and a transition frequency of 400MHz. Packaged in a TO-39 case. RoHS compliant.
| RoHS | Compliant |
| Polarity | NPN |
| Package/Case | TO-39 |
| Power Dissipation | 800mW |
| Reach SVHC Compliant | Unknown |
| Transition Frequency | 400MHz |
| Max Power Dissipation | 800mW |
| Max Operating Temperature | 200°C |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 80V |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
