ABLEBOND 8360

Производится
ABLEBOND 8360 - Henkel
Увеличить
Краткое описание: Эпоксидка, термоотвержение, электропроводящий клей
Производитель Henkel
Категория Химикаты и клеи
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Клей для крепления кристаллов ABLEBOND 8360 предназначен для применения с высокой надёжностью упаковки. Уникальные свойства обеспечивают превосходные результаты тестов надёжности автоклава в конечном итоге собранных устройств. ABLEBOND 8360 die attach adhesive is designed for high reliability packaging applications. The unique properties result in superior autoclave reliability test performance of the final assembled devices.
pH 4.2
ECCN EAR99
PPAP Нет
Лечение Термическое лечение
Код клетки D8908
Приложение Прикрепить штамп
Технология Эпоксидная смола
Внешний вид Серебро
Тип филлера Серебро
Потеря веса @ 300°C 0.7%
Рабочая жизнь @ 25°C 20 часов
Сертифицировано AEC Нет
Сопротивление объёму 0,0005 Ом-см
Теплопроводность @ 121°C 2.9W/mK
Типичный график засолки 1 час @ 175°C
Модуль растяжения, DMTA @ 25 °C 5000N/mm² (psi)
Модуль растяжения, DMTA @ -65 °C 5800N/mm² (psi)
Модуль растяжения, DMTA @ 150 °C 360N/mm² (psi)
Модуль растяжения, DMTA @ 250 °C 270N/mm² (psi)
Время отталения шприца для 10cc 30-35 минут
Автомобильная промышленность Нет
Индекс тиксотропов (0.5/5 об/мин) 4.2
Время разморозки шприца для 30cc 45-50 минут
Время разтаивания шприца для 3cc 15-20 минут
Проводимость водного экстракта 15 мкмгос/см
Альтернативное лечение для BGA Die Attachment 2 часа @ 100°C + 30-минутный подъём до 175°C + 1 час @ 175°C
Вязкость, Brookfield CP51, 25 °C, скорость 5 об/мин 7900 мПа·с (cP)
Срок хранения @ -40°C (с даты производства) 1 год
Коэффициент теплового расширения выше tg 200ppm/°C
Коэффициент теплового расширения ниже Tg 45ppm/°C
Извлеченное ионное содержание, калий (K+) @ 100°C <5ppm
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Ag/Cu LF @25°C 29 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Ag/Cu LF @200°C 1,3 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Ag/Cu LF @250°C 1,0 кг-f
Извлекаемое ионное содержание, натрий (Na+) @ 100°C <10ppm
Извлекаемое ионное содержание, хлорид (Cl-) @ 100°C <20ppm
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Pd/Ni/Cu LF @25°C 17 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Pd/Ni/Cu LF @200°C 1,3 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка Pd/Ni/Cu LF @250°C 0,87 кг-f
Температура стеклопереходного перехода (Tg) по TMA 88°C
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si на Au BGA толщиной 0,48 мм), Post Cure 10 мкм
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si на Ag/Cu LF толщиной 0,2 мм), Post Cure 12 мкм
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка au BT-смола @250°C 2,5 кг-ф
Время оттаивания шприца для шприца объёмом 1 куб. см 10-15 минут
Похудение при лечении, 10 x 10 мм Si на стеклянном стекле 3.4%
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, обнажённая подложка Cu LF @25°C 9,0 кг-f
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, обнажённая подложка Cu LF @250°C 0,56 кг-f
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, подложка au BT-смола @200°C 3,5 кг-f
Прочность на сдвиг штрица, 2 x 2 мм Si, каркас подложки Ag/Cu @25°C 11 кг-ф
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si на Au BGA толщиной 0,48 мм), Wirebond (1 мин @ 250°C) 11 мкм
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, обнажённый подложка Cu LF @200°C 0,82 кг-f
Chip Warpage (0,38 мм толщиной Si на 0,48 мм Au BGA @ 25°C), размер чипа 10,2 x 10,2 мм 23 мкм
Поглощение влаги @ насыщенность, 85°C/85% относительной влажности 0,55%
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si на Au BGA толщиной 0,48 мм), Post Mold Bake (4 часа @ 175°C) 9,2 мкм
Стойкость на сдвиг, 3 x 3 мм Si, подложка au BT-смола, плата из смолы @25°C 32 кг-ф
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si кристалл на Ag/Cu LF толщиной 0,2 мм), Wirebond (1 мин @ 250°C) 15 мкм
Chip Warpage (кристалл Si толщиной 0,38 мм на 0,48 мм Au BGA @ 25°C), размер чипа 7,6 x 7,6 мм 10 мкм
Chip Warpage (0,38 мм толщиной Si на 0,2 мм толщиной Ag/Cu LF @ 25°C), размер чипа 12,7 x 12,7 мм 26 мкм
Chip Warpage (0,38 мм толщиной Si на Ag/Cu LF толщиной 0,2 мм @ 25°C), размер чипа 10,2 x 10,2 мм 18 мкм
Chip Warpage (7,6 x 7,6 x 0,38 мм Si на 0,2 мм толщиной Ag/Cu LF), выпечка после формы (4 часа @ 175°C) 15 мкм
Альтернативный график задержки для крепления металлических лидкарных штампов 5°C в минуту — 175°C + 1 час @ 175°C
Искривление чипа (0,38 мм толщиной Si на 0,2 мм толщиной Ag/Cu LF @ 25°C), размер чипа 7,6 x 7,6 мм 10 мкм
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, после 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, подложка Ag/Cu LF @25°C 25 кг-ф
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, после 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, подложка Ag/Cu LF @200°C 1,3 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, после 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, обнажённая подложка Cu LF @25°C 10 кг-f
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, после воздействия 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, подложка Pd/Ni/Cu LF @200°C 1,3 кг-ф
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, после 30°C/60% относной влажности в течение 192 часов, подложка Au-BT смоляная плата @25°C 26 кг-ф
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, после 30°C/60% относной влажности в течение 192 часов, подложка Au-BT смоляная плата @200°C 2,1 кг-f
Прочность на сдвиг, штамп 3 x 3 мм Si, после воздействия 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, подложка Pd/Ni/Cu LF @25°C 19 кг-ф
Прочность на сдвиг, 3 x 3 мм Si, после воздействия 85°C/85% относной влажности в течение 168 часов, обнажённая подложка Cu LF @200°C 0,7 кг-f
pH 4.2
Cure Heat cure
ECCN EAR99
PPAP No
Cage Code D8908
Appearance Silver
Automotive No
Technology Epoxy
Application Die attach
Filler Type Silver
AEC Qualified No
Work Life @ 25°C 20hours
Volume Resistivity 0.0005ohms-cm
Weight Loss @ 300°C 0.7%
Typical Curing Schedule 1 hour @ 175°C
Water Extract Conductivity 15µmhos/cm
Thermal Conductivity @ 121°C 2.9W/mK
Thixotropic Index (0.5/5 rpm) 4.2
Tensile Modulus, DMTA @ 25 °C 5000N/mm² (psi)
Tensile Modulus, DMTA @ -65 °C 5800N/mm² (psi)
Tensile Modulus, DMTA @ 150 °C 360N/mm² (psi)
Tensile Modulus, DMTA @ 250 °C 270N/mm² (psi)
Syringe Thaw Time for 1cc syringe 10-15minutes
Syringe Thaw Time for 3cc syringe 15-20minutes
Syringe Thaw Time for 10cc syringe 30-35minutes
Syringe Thaw Time for 30cc syringe 45-50minutes
Alternative Cure for BGA Die Attach 2 hours @ 100°C + 30 minute ramp to 175°C + 1 hour @ 175°C
Glass Transition Temperature (Tg) by TMA 88°C
Coefficient of Thermal Expansion Above Tg 200ppm/°C
Coefficient of Thermal Expansion Below Tg 45ppm/°C
Moisture Absorption @ Saturation, 85°C/85%RH 0.55wt.%
Shelf Life @ -40°C (from date of manufacture) 1year
Viscosity, Brookfield CP51, 25 °C, Speed 5 rpm 7900mPa·s (cP)
Extractable Ionic Content, Sodium (Na+) @ 100°C <10ppm
Extractable Ionic Content, Chloride (Cl-) @ 100°C <20ppm
Extractable Ionic Content, Potassium (K+) @ 100°C <5ppm
Weight Loss on Cure, 10 x 10 mm Si die on glass slide 3.4%
Alternative Cure Schedule for Metal Leadframe Die Attach 5°C per minute ramp to 175°C + 1 hour @ 175°C
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Ag/Cu LF @25°C 29kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Ag/Cu LF @200°C 1.3kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Ag/Cu LF @250°C 1.0kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Bare Cu LF @25°C 9.0kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Bare Cu LF @200°C 0.82kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Bare Cu LF @250°C 0.56kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Pd/Ni/Cu LF @25°C 17kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Pd/Ni/Cu LF @200°C 1.3kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Pd/Ni/Cu LF @250°C 0.87kg-f
Die Shear Strength, 2 X 2 mm Si die, Substrate Ag/Cu leadframe @25°C 11kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Au BT-Resin Board @25°C 32kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Au BT-Resin Board @200°C 3.5kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, Substrate Au BT-Resin Board @250°C 2.5kg-f
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.48 mm thick Au BGA), Post Cure 10µm
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF), Post Cure 12µm
Chip Warpage (0.38 mm thick Si die on 0.48 mm Au BGA @ 25°C), Chip Size 7.6 x 7.6mm 10µm
Chip Warpage (0.38 mm thick Si die on 0.48 mm Au BGA @ 25°C), Chip Size 10.2 x 10.2mm 23µm
Chip Warpage (0.38 mm thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF @ 25°C), Chip Size 7.6 x 7.6mm 10µm
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.48 mm thick Au BGA), Wirebond (1 min @ 250°C) 11µm
Chip Warpage (0.38 mm thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF @ 25°C), Chip Size 10.2 x 10.2mm 18µm
Chip Warpage (0.38 mm thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF @ 25°C), Chip Size 12.7 x 12.7mm 26µm
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF), Wirebond (1 min @ 250°C) 15µm
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.48 mm thick Au BGA), Post Mold Bake (4 hrs @ 175°C) 9.2µm
Chip Warpage (7.6 x 7.6 x 0.38 mm Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu LF), Post Mold Bake (4 hrs @ 175°C) 15µm
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Ag/Cu LF @25°C 25kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Ag/Cu LF @200°C 1.3kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Bare Cu LF @25°C 10kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Bare Cu LF @200°C 0.7kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Pd/Ni/Cu LF @25°C 19kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 85°C/85% RH exposure for 168 hours, Substrate Pd/Ni/Cu LF @200°C 1.3kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 30°C/60% RH exposure for 192 hours, Substrate Au-BT Resin Board @25°C 26kg-f
Die Shear Strength, 3 X 3 mm Si die, After 30°C/60% RH exposure for 192 hours, Substrate Au-BT Resin Board @200°C 2.1kg-f

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.