BFP420H6433XTMA1

Производится
BFP420H6433XTMA1 - Infineon
Увеличить
Краткое описание: RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Производитель Infineon
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Gain 21dB
RoHS Not Compliant
Mount Surface Mount
Polarity NPN
Frequency 25GHz
Packaging Tape and Reel
Package/Case SOT-343
RoHS Compliant No
Contact Plating Tin, Matte
Package Quantity 10000
Power Dissipation 160mW
Number of Elements 1
Transition Frequency 25GHz
Max Breakdown Voltage 5V
Max Collector Current 35mA
Max Power Dissipation 160mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -65°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 1.5V
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 5V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.