BFU530R

Производится
BFU530R - NXP
Увеличить
Краткое описание: BFU530 - NPN wideband silicon RF transistor SOT-143 4-Pin
Производитель NXP
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

BFU530 - NPN wideband silicon RF transistor SOT-143 4-Pin
Gain 21.5dB
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series Automotive, AEC-Q101
hFE Min 60
Polarity NPN
Packaging Tape and Reel
Package/Case TO-253-4
Contact Plating Tin
Package Quantity 3000
Operating Frequency 900 MHz
Transition Frequency 11GHz
Max Breakdown Voltage 12V
Max Collector Current 40mA
Max Power Dissipation 450mW
Gain Bandwidth Product 11GHz
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -40°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
Continuous Collector Current 10mA
Collector Base Voltage (VCBO) 24V
Collector-emitter Voltage-Max 16V
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.