BFU660F,115

Производится
BFU660F,115 - NXP
Увеличить
Краткое описание: Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
Производитель NXP
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
Gain 21dB
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
hFE Min 90
Polarity NPN
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Output Power 225mW
Package/Case DFP
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 1
Radiation Hardening No
Transition Frequency 21GHz
Max Breakdown Voltage 5.5V
Max Collector Current 60mA
Max Power Dissipation 225mW
Gain Bandwidth Product 21GHz
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -65°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 2.5V
Continuous Collector Current 30mA
Collector Base Voltage (VCBO) 16V
Collector-emitter Voltage-Max 5.5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 5.5V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.