BLF188XRU

Производится
BLF188XRU - NXP
Увеличить
Краткое описание: 1.4kW RF MOSFET 135V 600MHz 40mA
Производитель NXP
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

High-power LDMOS transistor designed for RF power applications. Features a 135V drain-to-source voltage and 600MHz operating frequency, delivering 1.4kW output power. Offers a low 80mΩ drain-to-source resistance and 24.4dB gain. This lead-free, RoHS compliant component is supplied in tray packaging.
Gain 24.4dB
RoHS Compliant
Frequency 600MHz
Lead Free Lead Free
Packaging Tray
Output Power 1.4kW
Test Voltage 50V
Current Rating 2.8uA
RoHS Compliant Yes
Voltage Rating 50V
Package Quantity 20
Operating Frequency 600 MHz
Drain to Source Resistance 80mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 11V
Continuous Drain Current (ID) 40mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 135V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.