BPX82
Производится
Краткое описание:
Кремниевой фототранзисторный массив 850 нм 6-контактный
Дополнительная информация
Кремниевой фототранзисторный массив 850 нм 6-контактный
| RoHS | Да |
| Тип | Множество |
| Версия RoHS | 2011/65/EU, 2015/863 |
| Цвет линзы | Прозрачность |
| Полярность | NPN |
| Тип формы линзы | Куполый |
| Пиковая длина волны | 850 нм |
| Тип фототранзистора | Фототранзистор |
| Количество контактов | 6 |
| Ориентация просмотра | Вид сверху |
| Угол полуинтенсивности | 36° |
| Максимальный тёмный ток | 50nA |
| Мин. рабочая температура | -40°C |
| Технологии изготовления | Транзистор NPN |
| Количество каналов на чип | 3 |
| Макс. рабочая температура | 80°C |
| Максимальный световой ток | 320(Min)uA |
| Максимальный ток коллектора | 50mA |
| Максимальное рассеивание мощности | 90mW |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 35V |
| Максимальное насыщенное напряжение коллектора и эмиттера | 0.15V |
