BSC016N06NS
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8FL, 8 PIN
Дополнительная информация
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8FL, 8 PIN
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS™ |
| Fall Time | 16ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 1.6mR |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1 |
| Input Capacitance | 5.2nF |
| Turn-On Delay Time | 32ns |
| Turn-Off Delay Time | 54ns |
| Max Power Dissipation | 139W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
