BSZ900N20NS3GATMA1

Производится
BSZ900N20NS3GATMA1 - Infineon
Увеличить
Краткое описание: 200V 15.2A N-Channel MOSFET, 0.09ohm, TSDSON-8
Производитель Infineon
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

N-channel silicon power MOSFET featuring 200V drain-source voltage and 15.2A continuous drain current. This surface-mount device offers a low on-resistance of 0.09 ohms. It operates across a wide temperature range from -55°C to 150°C and is RoHS compliant. The component utilizes tin contact plating and is housed in a TSDSON-8 plastic package.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Lead Free Contains Lead
Halogen Free Halogen Free
RoHS Compliant Yes
Contact Plating Tin
Max Dual Supply Voltage 200V
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 15.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.