FF200R12KE4HOSA1

Производится
FF200R12KE4HOSA1 - Infineon
Увеличить
Краткое описание: Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
Производитель Infineon
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
RoHS Compliant
Input Standard
Mount Chassis Mount, Screw
Series C
Polarity NPN
Lead Free Lead Free
Packaging Bulk
Halogen Free Not Halogen Free
Package/Case Module
NTC Thermistor No
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 10
Input Capacitance 14nF
Power Dissipation 1.1kW
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Collector Current 240A
Max Power Dissipation 1.1kW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -40°C
Collector-emitter Voltage-Max 2.15V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.75V
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.05V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.