HB56U232B-7C

HB56U232B-7C - Micron
Увеличить
Краткое описание: Модуль DRAM EDO 64Mbit
Производитель Micron

Дополнительная информация

Модуль DRAM EDO 64Mbit DRAM Module EDO 64Mbit
PCB 72
ECCN EAR99
PPAP Нет
Код HTS 8473301140
Монтаж Головка
Версии RoHS 2002/95/EC
Код клетки 6Y440
Организация 2Mx32
Поддержка ECC Нет
Приложение Б 8473300002
Подкатегория EDO
Шаг штифта (мм) 1.27
Плотность чипа 4Mbit
Общая плотность 64 Мбит
Тип корпуса чипа SIP
Длина упаковки (мм) 107.95
Сертифицировано AEC Нет
Ширина шины данных 32bit
Основная категория Модуль DRAM
Высота упаковки (мм) 25.4
Ширина упаковки (мм) 9.14 (Макс)
Количество контактов 72
Радиационная закалка Нет
Мин. рабочая температура 0°C
Максимальный рабочий ток 840mA
Макс. рабочая температура 70°C
Количество чипов на модуль 16
Максимальное время доступа 70ns
Автомобильная промышленность Нет
Типичное рабочее напряжение питания 5V
Минимальное рабочее напряжение питания 4.75V
Максимальное рабочее напряжение питания 5.25V
PCB 72
ECCN EAR99
PPAP No
HTS Code 8473301140
Mounting Socket
Cage Code 6Y440
Pin Count 72
Automotive No
Schedule B 8473300002
ECC Support No
Subcategory EDO
Chip Density 4Mbit
Organization 2Mx32
AEC Qualified No
Main Category DRAM Module
RoHS Versions 2002/95/EC
Total Density 64Mbit
Data Bus Width 32bit
Pin Pitch (mm) 1.27
Chip Package Type SIP
Package Width (mm) 9.14(Max)
Maximum Access Time 70ns
Package Height (mm) 25.4
Package Length (mm) 107.95
Radiation Hardening No
Max Operating Temperature 70°C
Maximum Operating Current 840mA
Min Operating Temperature 0°C
Number of Chip per Module 16
Max Operating Supply Voltage 5.25V
Min Operating Supply Voltage 4.75V
Typical Operating Supply Voltage 5V