HB56U232SB-6C
Увеличить
Краткое описание:
72-контактный разъём DRAM модуль 64 Мбит 2Mx32 EDO 0-70°C
Дополнительная информация
Этот модуль DRAM с 72-контактным разъёмом имеет общую плотность 64 Мбит и организацию 2Mx32. Он относится к модулю EDO (расширенный выход данных) и поддерживает рабочий ток до 920 мА при типичном напряжении питания 5 В. Модуль работает в диапазоне температур от 0 до 70°C и не поддерживает ECC (код исправления ошибок).
| PCB | 72 |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | Нет |
| Код HTS | 8473301140 |
| Монтаж | Головка |
| Версии RoHS | 2002/95/EC |
| Код клетки | 6Y440 |
| Организация | 2Mx32 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Приложение Б | 8473300002 |
| Подкатегория | EDO |
| Шаг штифта (мм) | 1.27 |
| Плотность чипа | 4Mbit |
| Общая плотность | 64 Мбит |
| Тип корпуса чипа | SIP |
| Длина упаковки (мм) | 107.95 |
| Сертифицировано AEC | Нет |
| Ширина шины данных | 32bit |
| Основная категория | Модуль DRAM |
| Высота упаковки (мм) | 25.4 |
| Ширина упаковки (мм) | 9.14 (Макс) |
| Количество контактов | 72 |
| Радиационная закалка | Нет |
| Мин. рабочая температура | 0°C |
| Максимальный рабочий ток | 920mA |
| Макс. рабочая температура | 70°C |
| Количество чипов на модуль | 16 |
| Максимальное время доступа | 60ns |
| Автомобильная промышленность | Нет |
| Типичное рабочее напряжение питания | 5V |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 4.75V |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 5.25V |
