KSD1691GSTU
Производится
Увеличить
Краткое описание:
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 1920-TUBE
Дополнительная информация
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 1920-TUBE
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Width | 3.25mm |
| Height | 11mm |
| Length | 8mm |
| Weight | 0.761g |
| hFE Min | 100 |
| Polarity | NPN |
| Packaging | Rail/Tube |
| Package/Case | TO-126 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 60 |
| Radiation Hardening | No |
| Max Collector Current | 5A |
| Max Power Dissipation | 1.3W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Emitter Base Voltage (VEBO) | 7V |
| Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
| Collector-emitter Voltage-Max | 300mV |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 300mV |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
