MT9HTF12872AY-667E1

Снят с производства
MT9HTF12872AY-667E1 - Micron
Краткое описание: DRAM модуль DDR2 SDRAM 1 Гбайт 240UDIMM лоток
Производитель Micron
Категория Хранение данных
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

DRAM модуль DDR2 SDRAM 1 Гбайт 240UDIMM лоток DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 240UDIMM Tray
RoHS Да, с освобождением
Версия RoHS 2011/65/EU
Пакет/кейс UDIMM
Тип модуля 240UDIMM
Задержка CAS 5
Организация 128Mx72
Поддержка ECC Да
Подкатегория DDR2 SDRAM
Плотность чипа 1Гбит
Общая плотность 1 Гбайт
Количество званий Сингл
Конфигурация чипа 128Mx8
Ширина шины данных 72bit
Основная категория Модуль DRAM
Количество контактов 240
Имя семейства пакетов DIM
Мин. рабочая температура 0°C
Максимальный рабочий ток 1440mA
Макс. рабочая температура 85°C
Количество чипов на модуль 9
Максимальное время доступа 0.045ns
Максимальная тактовая частота 667MHz
Типичное рабочее напряжение питания 1.8V
Минимальное рабочее напряжение питания 1.7V
Максимальное рабочее напряжение питания 1.9V
RoHS Yes with Exemption
Pin Count 240
CAS Latency 5
ECC Support Yes
Module Type 240UDIMM
Subcategory DDR2 SDRAM
Chip Density 1Gbit
Organization 128Mx72
Package/Case UDIMM
RoHS Version 2011/65/EU
Main Category DRAM Module
Total Density 1Gbyte
Data Bus Width 72bit
Number of Ranks Single
Chip Configuration 128Mx8
Maximum Clock Rate 667MHz
Maximum Access Time 0.045ns
Package Family Name DIM
Max Operating Temperature 85°C
Maximum Operating Current 1440mA
Min Operating Temperature 0°C
Number of Chip per Module 9
Max Operating Supply Voltage 1.9V
Min Operating Supply Voltage 1.7V
Typical Operating Supply Voltage 1.8V