MTA8ATF1G64HZ-2G6E1

Производится
MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 - Micron
Краткое описание: DRAM Модуль DDR4 SDRAM 8 Гбайт 260SODIMM
Производитель Micron
Категория Хранение данных
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

DRAM Модуль DDR4 SDRAM 8 Гбайт 260SODIMM DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260SODIMM
RoHS Да, с освобождением
Версия RoHS 2011/65/EU, 2015/863
Пакет/кейс SODIMM
Тип модуля 260SODIMM
Задержка CAS 19
Организация 1Gx64
Поддержка ECC Нет
Подкатегория DDR4 SDRAM
Плотность чипа 8 Гбит
Общая плотность 8 Гбайт
Количество званий Сингл
Конфигурация чипа 1Gx8
Ширина шины данных 64bit
Основная категория Модуль DRAM
Количество контактов 260
Имя семейства пакетов DIM
Мин. рабочая температура 0°C
Максимальный рабочий ток 1248mA
Макс. рабочая температура 95°C
Количество чипов на модуль 8
Максимальная тактовая частота 2666MHz
Типичное рабочее напряжение питания 1.2V
Минимальное рабочее напряжение питания 1.14V
Максимальное рабочее напряжение питания 1.26V
RoHS Yes with Exemption
Pin Count 260
CAS Latency 19
ECC Support No
Module Type 260SODIMM
Subcategory DDR4 SDRAM
Chip Density 8Gbit
Organization 1Gx64
Package/Case SODIMM
RoHS Version 2011/65/EU, 2015/863
Main Category DRAM Module
Total Density 8Gbyte
Data Bus Width 64bit
Number of Ranks Single
Chip Configuration 1Gx8
Maximum Clock Rate 2666MHz
Package Family Name DIM
Max Operating Temperature 95°C
Maximum Operating Current 1248mA
Min Operating Temperature 0°C
Number of Chip per Module 8
Max Operating Supply Voltage 1.26V
Min Operating Supply Voltage 1.14V
Typical Operating Supply Voltage 1.2V