NTE123

Производится
NTE123 - NTE Electronics
Увеличить
Краткое описание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
Производитель NTE Electronics
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Height 0.26inch
Diameter 9.39mm
Polarity NPN
Package/Case TO-39
RoHS Compliant Yes
Power Dissipation 800mW
Reach SVHC Compliant No
Transition Frequency 300MHz
Max Collector Current 10nA
Max Power Dissipation 800mW
Max Operating Temperature 200°C
Min Operating Temperature -65°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Collector Base Voltage (VCBO) 75V
Collector-emitter Voltage-Max 1V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.