NTE157

Производится
NTE157 - NTE Electronics
Увеличить
Краткое описание: Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Производитель NTE Electronics
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Width 0.13inch
Height 0.449inch
Length 0.329inch
Polarity NPN
Package/Case TO-126
Current Rating 500mA
RoHS Compliant Yes
DC Rated Voltage 300V
Power Dissipation 20W
Reach SVHC Compliant No
Transition Frequency 10MHz
Max Collector Current 100uA
Max Power Dissipation 20W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -65°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Collector Base Voltage (VCBO) 325V
Collector-emitter Voltage-Max 10V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
Collector Emitter Saturation Voltage 10V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.