NTE2987
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Дополнительная информация
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Rds On Max | 120mR |
| Package/Case | TO-220 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Input Capacitance | 1.2nF |
| Power Dissipation | 105W |
| Threshold Voltage | 1.6V |
| Reach SVHC Compliant | No |
| Max Power Dissipation | 105W |
| Max Operating Temperature | 175°C |
| Min Operating Temperature | -65°C |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 15V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
