NX6351GP27-AZ

Снят с производства
NX6351GP27-AZ - Renesas
Краткое описание: LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION
Производитель Renesas
Категория Лампы и лазеры
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION
REACH Compliant
Military Spec False
Max Operating Temperature 85
Min Operating Temperature -40