OPB390P51Z

OPB390P51Z - TT
Увеличить
Краткое описание: Фототранзистор, 30 В, 50 мА, крепление шасси, 890 нм
Производитель TT

Дополнительная информация

OPB390P51Z — это фототранзистор с напряжением пробоя коллектор-эмиттер 30 В и прямым током 50 мА. Он предназначен для крепления корпуса и имеет максимальную рабочую температуру 85°C. Устройство соответствует стандарту RoHS и имеет длину волны 890 нм. OPB390P51Z подходит для применения в приложениях, где требуется фототранзистор, с максимальным коллекторным током 30 мА и расходом мощности 100 мВт. The OPB390P51Z is a phototransistor with a collector-emitter breakdown voltage of 30V and a forward current of 50mA. It is designed for chassis mount applications and has a maximum operating temperature of 85°C. The device is RoHS compliant and has a wavelength of 890nm. The OPB390P51Z is suitable for use in applications where a phototransistor is required, with a maximum collector current of 30mA and a power dissipation of 100mW.
RoHS Соответствует
Forward Current 50mA
Упаковка Оптом
Входной ток 20mA
Длина волны 890 нм
Тип монтажа Крепление на шасси
Совместимость с RoHS Да
Рассеяние мощности 100mW
Соответствие REACH SVHC Нет
Конфигурация вывода Фототранзистор
Количество в упаковке 25
Обратное напряжение (DC) 2V
Мин. рабочая температура -40°C
Макс. рабочая температура 85°C
Максимальный коллекторный ток 30mA
Коллектор-эмиттер Напряжение-Макс 30V
Напряжение пробоя эмиттера коллектора 30V
RoHS Compliant
Mount Chassis Mount
Packaging Bulk
Wavelength 890nm
Input Current 20mA
RoHS Compliant Yes
Forward Current 50mA
Package Quantity 25
Power Dissipation 100mW
Output Configuration Phototransistor
Reach SVHC Compliant No
Reverse Voltage (DC) 2V
Max Collector Current 30mA
Max Operating Temperature 85°C
Min Operating Temperature -40°C
Collector-emitter Voltage-Max 30V
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.