OPB877L55
Краткое описание:
Фототранзистор 30 В 50 мА 100 мВт сквозное отверстие
Дополнительная информация
Фототранзистор OPB877L55 имеет напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 В и максимальный ток коллектора 30 мА. can обеспечивает максимальное рассеивание мощности 100 мВт и работает в диапазоне температур от -40°C до 85°C. Устройство доступно в пластиковом корпусе, соответствующем требованиям ROHS, с четырьмя контактами и подходит для монтажа через отверстие. Оно не защищено от излучения и соответствует требованиям RoHS.
| RoHS | Соответствует |
| Forward Current | 50mA |
| Упаковка | Оптом |
| Длина волны | 890 нм |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие, винт |
| Сенсорный экран | Инфракрасный (ИК) |
| Совместимость с RoHS | Да |
| Рассеяние мощности | 100mW |
| Конфигурация вывода | Фототранзистор |
| Количество элементов | 1 |
| Радиационная закалка | Нет |
| Количество в упаковке | 25 |
| Мин. рабочая температура | -40°C |
| Макс. рабочая температура | 85°C |
| Напряжение обратного пробоя | 2V |
| Максимальный коллекторный ток | 30mA |
| Коллектор-эмиттер Напряжение-Макс | 30V |
| Напряжение излучателя коллектора (VCEO) | 30V |
| Напряжение пробоя эмиттера коллектора | 30V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
