PHB45NQ15T
Снят с производства
Краткое описание:
N-channel TrenchMOS standard level FET 150V, 45A
Дополнительная информация
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial and professional applications.
| RoHS | Compliant |
| Drain Current (Id) | 45A |
| Operating Temperature | -55 to 175°C |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 150V |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 230W |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs th) | 2 to 4V |
| Drain-Source On-State Resistance (Rds on) | 35mOhm |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
