SDP8406-004
Снят с производства
Увеличить
Краткое описание:
Photo Transistor
Дополнительная информация
Photo Transistor
| RoHS | Not Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | NPN |
| Fall Time | 15us |
| Packaging | Bulk |
| Wavelength | 935nm |
| Orientation | Side View |
| Package/Case | Radial |
| Viewing Angle | 50° |
| RoHS Compliant | No |
| Package Quantity | 1 |
| Power Dissipation | 100mW |
| Number of Elements | 1 |
| Max Breakdown Voltage | 30V |
| Max Power Dissipation | 100mW |
| Max Operating Temperature | 85°C |
| Min Operating Temperature | -40°C |
| Collector-emitter Voltage-Max | 30V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
