SI1073X-T1-E3

Снят с производства
SI1073X-T1-E3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: P-CH MOSFET 30V 200mA 173mR SC89-6
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

P-channel MOSFET with 30V drain-source voltage and 200mA continuous drain current. Features low 173mΩ Rds(on) at 10V Vgs, 26ns turn-on delay, and 28ns fall time. Surface mountable in a compact SC89-6 package, this RoHS compliant component operates from -55°C to 150°C with a maximum power dissipation of 236mW.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Width 1.2mm
Height 0.6mm
Length 1.7mm
Series TrenchFET®
Weight 0.001129oz
Polarity P-CHANNEL
Fall Time 28ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 173mR
Resistance 0.173R
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 265pF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 26ns
Turn-Off Delay Time 28ns
Max Power Dissipation 236mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 243mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.