SI3552DV-T1-GE3

Производится
SI3552DV-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
Производитель Vishay(Siliconix)
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Height 1.1mm
Series TrenchFET®
Weight 0.000705oz
FET Type N and P-Channel
Polarity N-CHANNEL, P-CHANNEL
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 105mR
Nominal Vgs 1V
Package/Case TSOP
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Threshold Voltage 1V
Number of Channels 2
Radiation Hardening No
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 1.15W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 200mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.