SI5441BDC-T1-GE3

Производится
SI5441BDC-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Производитель Vishay(Siliconix)
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.002998oz
Polarity P-CHANNEL
Fall Time 50ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 45mR
Package/Case SMD/SMT
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Threshold Voltage 12V
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 15ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 50ns
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 1.3W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 45mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) -20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.