SIE874DF-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 20V 60A N-CH MOSFET
Дополнительная информация
MOSFET 20V 60A N-CH MOSFET
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 30ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 1.17mR |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1 |
| Input Capacitance | 6.2nF |
| Power Dissipation | 125W |
| Turn-On Delay Time | 45ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 60ns |
| Max Power Dissipation | 125W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 1.17mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
