SIHB12N50C-E3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
SiHB12N60E E Series Power MOSFET
Дополнительная информация
SiHB12N60E E Series Power MOSFET
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Weight | 0.050717oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 6ns |
| Packaging | Bulk |
| Rds On Max | 555mR |
| Package/Case | TO-263-3 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1000 |
| Input Capacitance | 1.375nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 18ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 23ns |
| Max Power Dissipation | 208W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 460mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
