SIHW73N60E-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
Дополнительная информация
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Weight | 1.340411oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 120ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 39mR |
| Package/Case | TO-247-3 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 480 |
| Input Capacitance | 7.7nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 63ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 290ns |
| Max Power Dissipation | 520W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 39mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 73A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
