SIR862DP-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Weight | 0.01787oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 17ns |
| Lead Free | Lead Free |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 2.8mR |
| Package/Case | SOIC |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1 |
| Input Capacitance | 3.8nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 28ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 39ns |
| Max Power Dissipation | 69W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 2.8mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 32A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
