SIR872ADP-T1-GE3

Производится
SIR872ADP-T1-GE3 - Vishay(Semiconductors)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 150volt 18mOhms@10V 53.7A N-Ch T-FET
Производитель Vishay(Semiconductors)
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 150volt 18mOhms@10V 53.7A N-Ch T-FET
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 7ns
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 18mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 1.286nF
Threshold Voltage 4.5V
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 15ns
Reach SVHC Compliant No
Max Power Dissipation 104W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 18mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 53.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Drain-source On Resistance-Max 18MR

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.