SIS414DN-T1-GE3

Производится
SIS414DN-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET
Производитель Vishay(Siliconix)
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 8ns
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 16mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 795pF
Threshold Voltage 600mV
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 7ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 21ns
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 31W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 13mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.