SSM3J15TE(BRA)

Снят с производства
SSM3J15TE(BRA) - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin TESM
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin TESM
PCB 3
ECCN EAR99
PPAP No
EU RoHS No
Category Small Signal
HTS Code 8541210095
Material Si
Mounting Surface Mount
Cage Code S0562
Pin Count 3
Automotive No
Schedule B 8541210080
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Package/Case TESM
AEC Qualified No
Configuration Single
RoHS Versions 2011/65/EU, 2015/863
Pin Pitch (mm) 0.45
Package Width (mm) 0.8
Package Height (mm) 0.59
Package Length (mm) 1.4
Radiation Hardening No
Seated Plane Height (mm) 0.59
Max Operating Temperature 150°C
Maximum Power Dissipation 100mW
Min Operating Temperature -55°C
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Drain Source Resistance 12000@4VmOhm
Typical Input Capacitance @ Vds 9.1@3VpF
Maximum Continuous Drain Current 0.1A

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.