SSM3J304T(TE85L,F)

Снят с производства
SSM3J304T(TE85L,F) - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -2.3A -20V -8VGSS
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -2.3A -20V -8VGSS
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity P-CHANNEL
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 127mR
Package/Case TO-236-3
Package Quantity 3000
Input Capacitance 335pF
Power Dissipation 700mW
Number of Channels 1
Number of Elements 1
Turn-On Delay Time 20ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 20ns
Max Power Dissipation 700mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 172mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Continuous Drain Current (ID) 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.