SSM6J212FE,LF

Производится
SSM6J212FE,LF - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET P-CH 20V 4A ES6
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity P-CHANNEL
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 40.7mR
Input Capacitance 970pF
Power Dissipation 500mW
Max Power Dissipation 500mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 94mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.