SSM6J213FE(TE85L,F

Производится
SSM6J213FE(TE85L,F - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity P-CHANNEL
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 103mR
Capacitance 2.9E-10F
Package Quantity 1
Input Capacitance 290pF
Power Dissipation 500mW
Max Power Dissipation 500mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 250mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.