SSM6N36FE(TE85L,F)

Производится
SSM6N36FE(TE85L,F) - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 2 N-Channel FET, 20V, 500mA, Surface Mount, Cut Tape
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The SSM6N36FE(TE85L,F) is a 2 N-Channel FET with a maximum drain to source voltage of 20V and a continuous drain current of 500mA. It features an input capacitance of 46pF and a maximum power dissipation of 150mW. The device is packaged in a surface mount configuration and is available on cut tape. The SSM6N36FE(TE85L,F) is RoHS compliant.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
FET Type 2 N-Channel
Packaging Cut Tape
Rds On Max 630mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 1
Input Capacitance 46pF
Max Power Dissipation 150mW
Continuous Drain Current (ID) 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.