SSM6N36FE,LM(T

Производится
SSM6N36FE,LM(T - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 2 N-Channel FET, 20V, 500mA, Surface Mount, Cut Tape
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The SSM6N36FE,LM(T) is a 2 N-Channel FET with a maximum drain to source voltage of 20V and continuous drain current of 500mA. It features an input capacitance of 46pF and a maximum power dissipation of 150mW. The device is packaged in cut tape and is designed for surface mount applications.
RoHS Not Compliant
Mount Surface Mount
FET Type 2 N-Channel
Packaging Cut Tape
Rds On Max 630mR
Package Quantity 1
Input Capacitance 46pF
Max Power Dissipation 150mW
Continuous Drain Current (ID) 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.