STB12NM60N

Снят с производства
STB12NM60N - Stmicroelectronics
Увеличить
Краткое описание: 10A, 600V, 0.41ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
Производитель Stmicroelectronics
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

10A, 600V, 0.41ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series MDmesh™ II
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 10ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 410mR
Package/Case D2PAK
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 1000
Input Capacitance 960pF
Power Dissipation 90W
Turn-On Delay Time 15ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 60ns
Max Power Dissipation 90W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 410mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Continuous Drain Current (ID) 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.