STD8NM60N-1

Снят с производства
STD8NM60N-1 - Stmicroelectronics
Увеличить
Краткое описание: 7A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, ROHS COMPLIANT, TO-251, IPAK-3
Производитель Stmicroelectronics
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

7A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, ROHS COMPLIANT, TO-251, IPAK-3
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Series MDmesh™ II
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 10ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 650mR
Nominal Vgs 3V
Termination Through Hole
Package/Case TO-251-3
RoHS Compliant Yes
Input Capacitance 560pF
Power Dissipation 70W
Dual Supply Voltage 600V
Turn-Off Delay Time 40ns
Reach SVHC Compliant No
Max Power Dissipation 70W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 650mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.