STF24NM65N

Не рекомендуется для новых проектов
STF24NM65N - Stmicroelectronics
Увеличить
Краткое описание: N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
Производитель Stmicroelectronics
Категория MOSFET
Статус производства Не рекомендуется для новых проектов (NOT RECOMMENDED)

Дополнительная информация

N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Series MDmesh™ II
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 20ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 190mR
Package/Case TO-220-3
RoHS Compliant Yes
Input Capacitance 2.5nF
Power Dissipation 40W
Turn-On Delay Time 25ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 80ns
Max Power Dissipation 40W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 190mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Continuous Drain Current (ID) 19A
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.