STP190N55LF3

Производится
STP190N55LF3 - Stmicroelectronics
Увеличить
Краткое описание: N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
Производитель Stmicroelectronics
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Series STripFET™
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 40ns
Lead Free Lead Free
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 3.7mR
Package/Case TO-220-3
RoHS Compliant Yes
Input Capacitance 6.2nF
Power Dissipation 312W
Turn-On Delay Time 20ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 160ns
Max Power Dissipation 312W
Max Operating Temperature 175°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 3.7mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 18V
Continuous Drain Current (ID) 120A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drain-source On Resistance-Max 3.7R
Drain to Source Breakdown Voltage 55V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.