STP80N70F6

Не рекомендуется для новых проектов
STP80N70F6 - Stmicroelectronics
Краткое описание: N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Производитель Stmicroelectronics
Категория MOSFET
Статус производства Не рекомендуется для новых проектов (NOT RECOMMENDED)

Дополнительная информация

N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Series DeepGATE™, STripFET™ VI
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 23ns
Lead Free Lead Free
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 8mR
Package/Case TO-220
RoHS Compliant Yes
Input Capacitance 5.85nF
Power Dissipation 110W
Number of Elements 1
Turn-On Delay Time 23ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 102ns
Max Power Dissipation 110W
Max Operating Temperature 175°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 8mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 96A
Drain to Source Voltage (Vdss) 68V
Drain to Source Breakdown Voltage 68V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.