TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Дополнительная информация
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
| RoHS | Not CompliantNo |
| Mount | Surface Mount |
| Fall Time | 195ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 13.8mR |
| Package/Case | TO-252-3 |
| Package Quantity | 2000 |
| Input Capacitance | 6.29nF |
| Radiation Hardening | No |
| Max Power Dissipation | 90W |
| Max Operating Temperature | 175°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 10V |
| Continuous Drain Current (ID) | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
