TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Производится
TJ80S04M3L(T6L1,NQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 80A 40V N-Channel MOSFET, TO-252-3 Package, -55°C to 175°C
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The TJ80S04M3L(T6L1,NQ is an 80A 40V N-Channel MOSFET with a maximum power dissipation of 100W. It features a TO-252-3 package and is suitable for surface mount applications. The device operates over a temperature range of -55°C to 175°C. Continuous drain current is rated at 80A, and the maximum drain to source voltage is 40V.
RoHS Not CompliantNo
Mount Surface Mount
Fall Time 300ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 5.2mR
Package/Case TO-252-3
Package Quantity 2000
Input Capacitance 7.77nF
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 100W
Max Operating Temperature 175°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Continuous Drain Current (ID) 80A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.