TK10P60W,RVQ

Производится
TK10P60W,RVQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 5.5ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 430mR
Package/Case DPAK
Package Quantity 2000
Input Capacitance 700pF
Power Dissipation 80W
Turn-Off Delay Time 75ns
Max Power Dissipation 80W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 380mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Continuous Drain Current (ID) 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.