TK10Q60W,S1VQ

Производится
TK10Q60W,S1VQ - Toshiba
Краткое описание: MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Weight 0.139332oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 5.5ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 430mR
Package/Case TO-251-3
Package Quantity 75
Input Capacitance 700pF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 45ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 75ns
Max Power Dissipation 80W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 327mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Continuous Drain Current (ID) 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.