TK12A60U(Q,M)
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 8ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 400mR |
| Package/Case | TO-220-3 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 720pF |
| Power Dissipation | 35W |
| Radiation Hardening | No |
| Max Power Dissipation | 35W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 400mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
