TK12A60W,S4VX
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Дополнительная информация
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 5.5ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 300mR |
| Capacitance | 8.9E-10F |
| Package/Case | TO-220-3 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 890pF |
| Power Dissipation | 35W |
| Turn-Off Delay Time | 85ns |
| Max Power Dissipation | 35W |
| Drain to Source Resistance | 265mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 11.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
