TK20A60U(Q,M)
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 12ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 190mR |
| Package/Case | TO-220-3 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 1.47nF |
| Power Dissipation | 45W |
| Radiation Hardening | No |
| Max Power Dissipation | 45W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 190mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
